STL30N10F7
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerVDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
35 mOhm @ 4A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
920 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
30A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
75W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STL30
Evidenziare:
MOSFET di potenza STL30N10F7
,Circuito integrato a semiconduttore STL30N10F7
,Componente elettronico STL30N10F7
Introduzione
N-canale 100 V 30A (Tc) 75W (Tc) PowerFlatTM (5x6)
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