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STF11NM80

fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
43.6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
MDmesh™
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220FP
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
11A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
35W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STF11
Evidenziare:

STF11NM80 power MOSFET

,

STF11NM80 semiconductor IC

,

STF11NM80 high voltage transistor

Introduzione
N-canale 800 V 11A (Tc) 35W (Tc) attraverso foro TO-220FP
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