STD30NF06LT4
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
31 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28 mOhm @ 18A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1600 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
STripFET™
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Mfr:
STMicroelettronica
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
35A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
70W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
STD30
Evidenziare:
Semiconduttore MOSFET STD30NF06LT4
,Circuito integrato di potenza STD30NF06LT4
,Transistor a canale N STD30NF06LT4
Introduzione
N-canale 60 V 35A (Tc) 70W (Tc) DPAK di montaggio di superficie
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