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NJVMJD32CT4G

fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Transistori Darlington BIP DPAK PNP 3A 100V TR
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
PNP
Categoria di prodotto:
Darlington Transistors
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pd - Dissipazione di potenza:
15 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
100 V
Confezione / Cassa:
DPAK
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
imballaggio:
Rilo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
100 V
Serie:
MJD32C
Corrente di taglio massima del collettore:
50 uA
Tensione emittenta-base VEBO:
5 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
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