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NJD35N04T4G

fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Darlington Transistors
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
4 A
Pd - Dissipazione di potenza:
45 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
350 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3 (D-PAK)
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
imballaggio:
Rilo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
700 V
Serie:
NJD35N04
Tensione emittenta-base VEBO:
5 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
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