FGA40T65SHD
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
IGBT Transistor 650V FS Gen3 Trench IGBT
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
80 A
Pd - Dissipazione di potenza:
268 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
650 V
Confezione / Cassa:
TO-3PN
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
imballaggio:
Tubo
Tensione massima dell'emettitore del portone:
30 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2.14 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Evidenziare:
FGA40T65SHD semiconductor IC
,FGA40T65SHD power transistor
,FGA40T65SHD high voltage IC
Introduzione
L'FGA40T65SHD, di Fairchild Semiconductor, sono i transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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