NGTB50N120FL2WG
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 200
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
100 A
Pd - Dissipazione di potenza:
535 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
1200 V
Confezione / Cassa:
TO-247
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
30 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,2 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
L'NGTB50N120FL2WG, da onsemi, è IGBT Transistor. quello che offriamo hanno un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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