FGH75T65UPD
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
corrente di perdita dell'Portone-emettitore:
Na 400
Categoria di prodotto:
Transistor IGBT
Stile di montaggio:
Attraverso il buco
Corrente di collettore continua a 25 C:
150 A
Pd - Dissipazione di potenza:
187 W
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
650 V
Confezione / Cassa:
TO-247
Temperatura massima di funzionamento:
+ 175 C
Tensione massima dell'emettitore del portone:
20 V
imballaggio:
Tubo
Configurazione:
Non sposato
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
2,3 V
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Evidenziare:
Semiconductor IC FGH75T65UPD
,FGH75T65UPD power transistor
,FGH75T65UPD electronic component
Introduzione
L'FGH75T65UPD, di Fairchild Semiconductor, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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