L'indice di emissione è il seguente:
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET MV8 P PROGRAMMA iniziale
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
P-Manica
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Categoria di prodotto:
MOSFET
Qualificazione:
AEC-Q101
Operativo minimo:
- 55 C + 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
75 W
Vds - tensione di ripartizione di Scolo-fonte:
40 V
Pacco:
WDFN-8
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
2,4 V
Identificazione - corrente continua dello scolo:
64 A
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
9.5 mOhms
RoHS:
Verde disponibile
Numero di canali:
1 canale
Quantità di imballaggio in fabbrica:
3000
Vgs - tensione di Portone-fonte:
- 20 V, + 20 V
Qg - tassa del portone:
34.6 nC
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
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