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MJD210G

fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Transistor bipolari - BJT 5A 25V 12,5W PNP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
PNP
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
5 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
25 V
Confezione / Cassa:
TO-252-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
65MHz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
40 V
Serie:
MJD210
Tensione emittenta-base VEBO:
8 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
1,8 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
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