2SA2013-TD-E
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Transistor bipolari - BJT BIP PNP 4A 50V
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
PNP
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
- 7 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
- 50 V
Confezione / Cassa:
PCP-3
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
360 megahertz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
- 50 V
Serie:
2SA2013
Tensione emittenta-base VEBO:
- 6 V.
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
- 200 mV
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
Il 2SA2013-TD-E, da onsemi, è Bipolar Transistors - BJT. quello che offriamo hanno un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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