SMMBT5551LT1G
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
Transistori bipolari - BJT SS HV XSTR SPCL TR
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Corrente CC massima del collettore:
0.06 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
160 V
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
180 V
Serie:
MMBT5551L
Tensione emittenta-base VEBO:
6 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
L'SMMBT5551LT1G, da onsemi, è Bipolar Transistors - BJT. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattaci tramite la chat online o inviaci un preventivo!
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