Specificità
Polarità del transistor:
NPN
imballaggio:
Nastro e bobina (TR)
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Corrente CC massima del collettore:
0.2A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
40 V
Pd - Dissipazione di potenza:
225 mW
Pacco:
SOT-23
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
300 MHz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
60 V
RoHS:
Verde disponibile
Quantità di imballaggio in fabbrica:
3000
Tensione emittenta-base VEBO:
6V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
0.3V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
Il MMBT3904LT1G, da onsemi, è Bipolar Transistors - BJT. quello che offriamo hanno un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Prodotti correlati
MOSFET a doppia inversione ad alta velocità semiconduttore IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
MOSFET a doppia inversione ad alta velocità semiconduttore IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ:

