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NSS1C301ET4G

fabbricante:
ONSEMI
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Polarità del transistor:
NPN
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Corrente CC massima del collettore:
6 A
Tensione VCEO dell'emettitore del collettore massima:
100 V
Confezione / Cassa:
DPAK-3
Temperatura massima di funzionamento:
+ 150 C
Prodotto fT di larghezza di banda di guadagno:
120 megahertz
Configurazione:
Non sposato
Tensione di base VCBO del collettore:
140 V
Serie:
NSS1C301E
Tensione emittenta-base VEBO:
6 V
Tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore:
0.115 V
Produttore:
ONSEMI
Introduzione
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