1N5617E3
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fabbricante:
Tecnologia dei microchip
Descrizione:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIALE
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Diodi
Rettificatori
Diodi singoli
Status del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
500 nA @ 400 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
800 mV @ 3 A
Pacco:
Borsa
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
35pF @ 12V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
A, assiale
Tempo di recupero inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia dei microchip
tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 175°C
Confezione / Cassa:
A, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
400 V
Corrente - media rettificata (Io):
1A
Velocità:
Per i dispositivi di controllo della velocità di carico, la velocità di carico deve essere pari a:
Numero del prodotto di base:
1N5617
Introduzione
Diodo 400 V 1A attraverso foro A, asse
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