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GI756-E3/54

fabbricante:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
Status del prodotto:
Attivo
Corrente - perdite inverse @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
900 mV @ 6 A
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Confezione del dispositivo del fornitore:
P600
Tempo di recupero inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisione diodi
tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-50°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
P600, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
600 V
Corrente - media rettificata (Io):
6A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
G.I.756
Introduzione
Diodo 600 V 6A attraverso foro P600
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Stoccaggio:
MOQ: