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1N5408RLG

fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIALE
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Diodi Rettificatori Diodi singoli
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Corrente - perdite inverse @ Vr:
10 μA @ 1000 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Voltaggio - avanti (Vf) (max) @ Se:
1 V @ 3 A
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT)
Serie:
-
Capacità @ Vr, F:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
azionario
Mfr:
ONSEMI
tecnologia:
Norme
Temperatura di funzionamento - Giunzione:
-65°C ~ 150°C
Confezione / Cassa:
DO-201AA, DO-27, assiale
Voltaggio - inversione di corrente continua (Vr) (max):
1000 V
Corrente - media rettificata (Io):
3A
Velocità:
Recupero standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numero del prodotto di base:
1N5408
Introduzione
Diodo 1000 V 3A attraverso l'asse del foro
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Stoccaggio:
MOQ: