FDB86363-F085
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-3, D2Pak (2 Lead + Tab), TO-263AB
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4mOhm @ 80A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
L'ultima volta che ho comprato
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10000 pF @ 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
Automobilistico, AEC-Q101, PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
D²PAK (TO-263)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
110A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
300W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDB86363
Introduzione
N-canale 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Montatura di superficie D2PAK (TO-263)
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