NVH4L022N120M3S
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
151 nC @ 18 V
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
3175 pF @ 800 V
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max):
+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.4V @ 20mA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30 mOhm @ 40A, 18V
Mfr:
ONSEMI
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
18V
Dissipazione di potere (massima):
352W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-247-4
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
68A (TC)
tecnologia:
SiCFET (carburo di silicio)
Caratteristica del FET:
-
Introduzione
N-canale 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) attraverso foro TO-247-4L
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