2V7002LT1G
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
50 pF a 25 V
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max):
± 20V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Mfr:
ONSEMI
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
5V, 10V
Dissipazione di potere (massima):
225mW (tum)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
115mA (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
2V7002
Introduzione
N-canale 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Montatura di superficie SOT-23-3 (TO-236)
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