NVMFS5C420NWFT1G
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET di potenza, N-CHANNEL, SO8FL,
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
82 nC @ 10 V
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
5340 pF @ 20 V
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vgs (Max):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 200μA
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.1mOhm @ 50A, 10V
Mfr:
ONSEMI
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Dissipazione di potere (massima):
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN, 5 cavi
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
43A (Ta), 268A (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Caratteristica del FET:
-
Introduzione
N-canale 40 V 43A (Ta), 268A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Superficie montata 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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