FCP099N65S3
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 3mA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
61 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
99mOhm @ 15A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
2480 pF @ 400 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
SuperFET® III
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
30A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
227W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FCP099
Introduzione
N-canale 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) attraverso foro TO-220-3
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