NTMFS5C645NLT1G
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN, 5 cavi
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4mOhm @ 50A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
2200 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
22A (tum), 100A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
NTMFS5
Introduzione
N-canale 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3,7W (Ta), 79W (Tc) Superficie montata 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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