Indirizzo:
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-261-4, TO-261AA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
5 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
160 mOhm @ 3.4A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
214 pF @ 30 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-223-4
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.8A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
3W (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
L'indice di emissione
Introduzione
N-canale 60 V 2.8A (Ta) 3W (Ta) Montatura di superficie SOT-223-4
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