FDN302P
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 2,4 A, 4,5 V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.5V, 4.5V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±12V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
882 pF @ 10 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
2.4A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
500mW (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDN302
Introduzione
P-canale 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Montatura di superficie SOT-23-3
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