FDA69N25
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-3P-3, SC-65-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
41 mOhm @ 34,5A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
250 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4640 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
UniFETTM
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-3PN
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
69A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
480 W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDA69
Introduzione
N-canale 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) attraverso foro TO-3PN
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