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NTTFS5C673NLTAG

fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
9.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.3mOhm @ 25A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
880 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-WDFN (3.3x3.3)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
13A (tum), 50A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
3.1W (Ta), 46W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
NTTFS5
Introduzione
N-canale 60 V 13A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 46W (Tc) Superficie montata 8-WDFN (3.3x3.3)
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MOQ: