FDD86102
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
19 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
24 mOhm @ 8A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1035 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252AA
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
8A (Ta), 36A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
3.1W (Ta), 62W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDD861
Introduzione
N-Manica 100 V 8A (tum), 36A (TC) 3.1W (tum), supporto TO-252AA della superficie 62W (TC)
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