NTD25P03LT4G
![qualità [#varpname#] fabbrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
80 mOhm @ 25A, 5V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4V, 5V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±15V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1260 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
DPAK
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
25A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
75W (Tj)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
NT1 di cui
Introduzione
Supporto DPAK della superficie 75W (Tj) di P-Manica 30 V 25A (tum)
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