FQT1N60CTF-WS
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-261-4, TO-261AA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
6.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.5 Ohm @ 100mA, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
170 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
QFET®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-223-4
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
200mA (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
2.1W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FQT1N60
Introduzione
N-Canale 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Montatura superficiale SOT-223-4
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