NTR1P02T1G
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
2.5 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180 mOhm @ 1,5A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
165 pF @ 5 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
1A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
400mW (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
NTR1P02
Introduzione
P-Canale 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Montatura di superficie SOT-23-3 (TO-236)
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