FCD900N60Z
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
17 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
720 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
SuperFET® II
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-252AA
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.5A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
52W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FCD900
Introduzione
N-canale 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Montatura di superficie TO-252AA
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