FDMC86102L
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerWDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23mOhm @ 7A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1330 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-MLP (3.3x3.3)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
7A (tum), 18A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
2.3W (Ta), 41W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDMC86102
Introduzione
N-canale 100 V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Superficie montata 8-MLP (3.3x3.3)
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