logo
Invia messaggio

FDS86242

fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
67 mOhm @ 4.1A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
150 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
760 pF @ 75 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SOIC
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
4.1A (Ta)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDS86
Introduzione
N-canale 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Superficie montata 8-SOIC
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: