FDN352AP
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
10,9 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
180 mOhm @ 1.3A, 10V
Tipo di FET:
P-Manica
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±25V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
150 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
1.3A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
500mW (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDN352
Introduzione
Supporto di superficie 500mW (tum) SOT-23-3 di P-Manica 30 V 1.3A (tum)
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