FDMS8333L
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N CH 40V 22A Potenza 56
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
64 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.1mOhm @ 22A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4545 pF @ 20 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
22A (tum), 76A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 69W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDMS8333
Introduzione
N-canale 40 V 22A (Ta), 76A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montatura superficiale 8-PQFN (5x6)
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