FCPF250N65S3L1-F154
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET DI POTERE, N-MANICA, SUPERFE
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 290μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
Pacchetto completo TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
24 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
250 mOhm @ 6A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Status del prodotto:
Non per nuovi disegni
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1010 pF @ 400 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
SuperFET® III
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220F-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
12A (Tj)
Dissipazione di potere (massima):
31W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FCPF250
Introduzione
N-canale 650 V 12A (Tj) 31W (Tc) attraverso foro TO-220F-3
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