FDP032N08B-F102
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
144 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.3mOhm @ 100A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
10965 pF @ 40 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
120A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
263W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDP032
Introduzione
N-canale 80 V 120A (Tc) 263W (Tc) attraverso il foro TO-220-3
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