NTBG080N120SC1
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-263-8, ² Pak (7 cavi + linguette) di D, TO-263CA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110 mOhm @ 20A, 20V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
20V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+ 25, -15V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1154 pF @ 800 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
D2PAK-7
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
30A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
179W (Tc)
tecnologia:
SiCFET (carburo di silicio)
Numero del prodotto di base:
NTBG080
Introduzione
N-Canale 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Supporto di superficie D2PAK-7
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