NTH4L045N065SC1
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFETTO di carburo di silicio, NCHANNEL
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
105 nC @ 18 V
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Pacco:
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1870 pF @ 325 V
Serie:
-
Vgs (Max):
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 8mA
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50 mOhm @ 25A, 18V
Mfr:
ONSEMI
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
15V, 18V
Dissipazione di potere (massima):
187W (Tc)
Confezione / Cassa:
TO-247-4
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
650 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
55A (TC)
tecnologia:
SiCFET (carburo di silicio)
Caratteristica del FET:
-
Introduzione
N-canale 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) attraverso foro TO-247-4L
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