FDMS039N08B
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
100 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 50A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
7600 pF @ 40 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
19.4A (Ta), 100A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (tum), 104W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDMS039
Introduzione
N-Canale 80 V 19.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Montatura superficiale 8-PQFN (5x6)
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