FDT3612
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-261-4, TO-261AA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
20 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
120 mOhm @ 3,7A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
632 pF @ 50 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-223-4
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
3.7A (tum)
Dissipazione di potere (massima):
3W (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDT36
Introduzione
Supporto di superficie 3W (tum) SOT-223-4 di N-Manica 100 V 3.7A (tum)
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