NVH4L080N120SC1
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-247-4
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110 mOhm @ 20A, 20V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
20V
Pacco:
Tubo
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+25V, -15V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
1670 pF @ 800 V
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-247-4L
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
29A (TC)
Dissipazione di potere (massima):
170 mW (Tc)
tecnologia:
SiCFET (carburo di silicio)
Numero del prodotto di base:
NVH4L080
Introduzione
N-canale 1200 V 29A (Tc) 170mW (Tc) attraverso foro TO-247-4L
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