FDV301N
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.06V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
0,7 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4 Ohm @ 400mA, 4,5 V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
2.7V, 4.5V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
25 V
Vgs (Max):
±8V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
9.5 pF @ 10 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-23-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
220mA (tum)
Dissipazione di potere (massima):
350mW (tum)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDV301
Introduzione
Supporto di superficie 350mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 25 V 220mA (tum)
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