FDMS7670
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fabbricante:
ONSEMI
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN
Categoria:
Semiconduttore IC
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.8mOhm @ 21A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
4105 pF @ 15 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
PowerTrench®
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
21A (Ta), 42A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
2.5W (Ta), 62W (Tc)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
FDMS76
Introduzione
N-canale 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 2,5W (Ta), 62W (Tc) Montatura superficiale 8-PQFN (5x6)
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