NTMFS5C604NLT3G
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
Caratteristica del FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250μA
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN, 5 cavi
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs:
120 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2mOhm @ 50A, 10V
Tipo di FET:
Canale N
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
± 20V
Status del prodotto:
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:
8900 pF @ 25 V
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Serie:
-
Confezione del dispositivo del fornitore:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Mfr:
ONSEMI
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C:
40A (Ta), 287A (Tc)
Dissipazione di potere (massima):
3.9W (tum), 200W (TC)
tecnologia:
MOSFET (ossido di metallo)
Numero del prodotto di base:
NTMFS5
Introduzione
N-Manica 60 V 40A (tum), 287A (TC) 3.9W (tum), 200W (TC) supporto 5-DFN (5x6) (8-SOFL) della superficie
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